WIESBADEN (Dow Jones/ks)–Wie die SGL Carbon SE am Donnerstag mitteilte, werden dazu rund 75 Mio Euro investiert. Isostatische Graphitteile von SGL werden bei der Herstellung von Silizium für Photovoltaik- und Halbleiterwafer sowie Leuchtdiodenscheiben (LEDs) verwendet.

Ein wichtiger Teil der Investition fließt in den Bau eines neuen Produktionszentrums am Standort Bonn. Es soll 2012 in Betrieb gehen. Weitere Investitionen betreffen die chinesischen Standorte Yangquan (Feedstockfertigung) und Shanghai (Bearbeitung, Reinigung und Beschichtung).