Ein in 20 nm-Technologie gefertigter DDR3-Chip. Bild: Samsung

Ein in 20 nm-Technologie gefertigter DDR3-Chip. Bild: Samsung

Samsung investiert 7,5 Mrd Euro in das industrieweit erste Halbleiterwerk für DDR3-Chips in 20 Nanometer-Strukturbreite.

KOREA-SEOUL (sp). Samsung Electronics Co. Ltd.  gibt die Inbetriebnahme seiner neuen Produktionsstätte für Halbleiterspeicher – Line-16 -bekannt. Ausgelegt ist das neue Halbleiterwerk für die branchenweit höchste Produktionskapazität, so der Hersteller. Gleichzeitig hat Samsung mit der Massenproduktion des industrieweit ersten DDR3-DRAMs (Double Data Rate-3, Dynamic Random Access Memory) in Strukturbreiten der 20-Nanometer-Klasse begonnen. Beide Ankündigungen erfolgten im Rahmen von Feierlichkeiten in Samsungs Nano City Complex in Hwaseong, Gyeonggi Province, Korea, wo sich die neue Line-16 befindet.

Mit dem Produktionsbeginn in der neuen Line-16, in die bis zur endgültigen Fertigstellung insgesamt 12 Billionen Koreanische Won (7,5 Mrd Euro) investiert wurden, will Samsung seine weltweite Führungsrolle im Marktsegment Halbleiterspeicher untermauern. Gleichzeitig möchte das Unternehmen über die Technologie und Fertigungskapazität verfügen, um das langfristige Wachstum der globalen IT-Industrie zu unterstützen.

Samsung hat im Mai 2010 mit dem Bau von Line-16 begonnen und die Installation von Equipment für die Reinräume im Mai 2011 abgeschlossen. Die Testproduktion hat im Juni begonnen. Voll funktionsfähig für die Massenproduktion ist die Fab seit August.