Infineon hatte im Oktober 2010 mit dem Aufbau einer Leistungshalbleiter-Pilotlinie für 300-mm-Wafer

Infineon hatte im Oktober 2010 mit dem Aufbau einer Leistungshalbleiter-Pilotlinie für 300-mm-Wafer und Dünnwafer-Technologie im österreichischen Villach begonnen und meldet nun die erste erfolgreiche Produktion (Bild: Infineon).

NEUBIBERG (ks). Die jetzt auf einem 300-Millimeter-Dünnwafer produzierten Chips weisen dasselbe Verhalten auf, wie die auf 200-Millimeter Wafern erstellten Leistungshalbleiter, so das Unternehmen. Das hätten Anwendungstests mit sogenannten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) für Anwendungen mit hohen Spannungen bewiesen.

„Damit ist unseren Ingenieuren ein Quantensprung in der Fertigungs-Technologie gelungen“, sagt Dr. Reinhard Ploss, Vorstand für Operations, Forschung und Entwicklung sowie Arbeitsdirektor der Infineon Technologies AG. „Innovation ist die Grundlage für profitables Wachstum. Innovation sichert unseren Vorsprung vor dem Wettbewerb.“

Infineon hatte im Oktober 2010 mit dem Aufbau einer Leistungshalbleiter-Pilotlinie für 300-mm-Wafer und Dünnwafer-Technologie im österreichischen Villach begonnen. Das Team umfasst heute 50 Ingenieure aus den Bereichen Forschung und Entwicklung, Fertigungstechnologie und Marketing.

Im Rahmen der Investitionsplanungen hatte Infineon Ende Juli angekündigt, Dresden als Hochvolumens-Standort für die Produktion der 300-Millimeter Leistungshalbleiter aufzubauen. Infineon investiert dafür zunächst bis zum Jahr 2014 rund 250 Mio Euro und schafft circa 250 Arbeitsplätze in Dresden.