Mit der Übergabe eines symbolischen Wafers wurde die feierliche Eröffnung des "Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony" in Dresden begangen.

Mit der Übergabe eines symbolischen Wafers wurde die feierliche Eröffnung des "Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony" in Dresden begangen. (Bild: Fraunhofer IZM/ Christian Schneider-Broecker)

Mit den beiden Fraunhofer-Einrichtungen IPMS - Bereich Center Nanoelectronic Technologies CNT - und IZM-ASSID sind zwei bundesweit einzigartige Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik in Sachsen angesiedelt. Es sind aktuell die beiden einzigen deutschen Forschungszentren für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300-Millimeter-Wafer-Industriestandard-Equipment forschen.

Mit der Bündelung ihrer Kompetenzen im Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony entstehen neue Perspektiven, Halbleiter-Unternehmen und Systemanwender sowie Material- und Anlagenhersteller weltweit anzuziehen und an Silicon Saxony zu binden. Für Industrie- und Forschungsaufträge sei neben hervorragendem Personal und Know-how eine Ausstattung mit einem modernen Geräte- und Anlagenpark entscheidend, so das Fraunhofer IZM in einer Mitteilung.

Welche Möglichkeiten das Center bietet

Blick in den 4.000 Quadratmeter großen Reinraum.
Blick in den 4.000 Quadratmeter großen Reinraum. (Bild: Fraunhofer IPMS)

Das Center Nanoelectronic Technologies (CNT) leistet angewandte Forschung auf 300-mm-Wafern für Mikrochip-Produzenten, Zulieferer, Gerätehersteller und F&E-Partner. Zur Bearbeitung der Kundenaufträge stehen 4.000 m² Reinraumfläche der Klasse 6 und 3 (nach ISO 14644-1) sowie Laborflächen für über 80 Prozessierungs- und Analytiktools zur Verfügung. Der Anlagenpark umfasst unter anderem Abscheide- und Ätzanlagen sowie Inspektions- und Analysegeräte zum Bestimmen von Defekten und dem Messen von Schichteigenschaften.

 

Das Fraunhofer IZM-ASSID verfügt über eine dem neusten Stand der Technik entsprechende 200-300 mm-Technologielinie für die 3D-Wafer-Level-Systemintegration auf der Basis der Kupfer-Through-Silicon-Via (Cu-TSV)-Technologie. Bestandteile der Linie sind Prozessmodule für die TSV-Formierung, für das Post-TSV-Processing, das Pre-Assembly (Dünnen und Vereinzeln), die 3D Stack Formierung.

"300-Millimeter-Wafer-Industriestandard ist entscheidend"

Geleitet wird das Center künftig von Dr. Wenke Weinreich, Bereichsleiterin am CNT und stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS, sowie Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin am IZM-ASSID. "Das gemeinsame Center ermöglicht eine enge Kooperation und Verzahnung der wissenschaftlich-technischen Kompetenzen beider Forschungseinrichtungen", erklärt Junghähnel.

Weinreich fügt hinzu: "Der 300-Millimeter-Wafer-Industriestandard ist entscheidend, denn nur so kann einerseits ein schneller Transfer von Forschungsergebnissen in die Halbleiter-Industrie gewährleistet werden. Andererseits ist dieser Waferstandard auch Grundvoraussetzung für die Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien, wie Neuromorphic und Quantencomputing."

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Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer (CDU) sagte zur Eröffnung des Centers: "Sachsen ist einer der führenden Mikroelektronik-Standorte in Europa. Jeder dritte europäische Chip wird im Freistaat produziert. Mit dem European Chips Act hat die EU die Weichen für weitere Investitionen gestellt. In Dresden findet zukünftig angewandte Mikroelektronik-Forschung mit hochmodernen 300 Millimeter Wafern auf Weltniveau statt."

Der Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Prof. Dr. Reimund Neugebauer, zeigte sich begeistert: "Durch die Zusammenführung der exzellenten wissenschaftlich-technischen Kompetenzen bildet das Zentrum zukünftig die gesamte Wertschöpfungskette der Halbleiter-Technologien effizient ab - von der Forschung über die Pilotfertigung auf 300 Millimeter großen Siliziumscheiben bis hin zur Kontaktierung und zur Endmontage."

Quelle: Fraunhofer IZM

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