Infineon baut GaN-Halbleiterfertigung in Villach aus
Infineon Villach wird zum Standort einer neuen GaN-Chipfertigung. Der Halbleiterkonzern investiert bis 2034 rund 1,1 Mrd. EUR in die Produktion auf 300-Millimeter-Wafern. Der Start ist für Ende 2027 geplant.
Infineon investiert in Villach 1,1 Mrd. EUR. Der Konzern plant eine GaN-Chipfertigung auf 300-mm-Wafern mit Produktionsstart 2027.Infineon
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Infineon investiert bis 2034 rund 1,1 Mrd. EUR in den österreichischen Standort Villach.
Geplant ist die weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern.
Die Produktion soll Ende 2027 starten und die wachsende Nachfrage nach effizienten Stromversorgungslösungen bedienen.
Das Projekt erhält 319 Mio. EUR Förderung im Rahmen des Europäischen Chips Acts.
Der Halbleiterkonzern Infineon baut seinen österreichischen Produktionsstandort Villach mit einer Milliardeninvestition weiter aus. Wie das Unternehmen am Dienstag mitteilte, soll dort die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN) der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern entstehen. Dafür plant Infineon bis 2034 Investitionen von rund 1,1 Mrd. EUR.
Der Produktionsstart ist bereits für Ende 2027 vorgesehen. Mit dem Ausbau reagiert der Konzern auf die steigende Nachfrage nach leistungsfähigen und energieeffizienten Stromversorgungslösungen. Die neue Fertigung soll insbesondere Anwendungen bedienen, bei denen eine hohe Energieeffizienz gefragt ist.
Warum investiert Infineon 1,1 Mrd. EUR in Villach?
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Hinter der Milliardeninvestition steht die weltweit wachsende Nachfrage nach leistungsfähigen Stromversorgungslösungen. Infineon sieht insbesondere bei Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Energieeffizienz einen steigenden Bedarf an modernen Leistungshalbleitern.
Eine zentrale Rolle spielt dabei Galliumnitrid. Der Halbleiterwerkstoff ermöglicht nach Angaben des Unternehmens erhebliche Effizienzsteigerungen in zahlreichen Anwendungen. Dazu zählen unter anderem KI-Rechenzentren, die Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik.
Mit der geplanten Hochvolumenfertigung in Villach will Infineon die Produktion dieser Leistungshalbleiter ausbauen. Das Investitionsprogramm erstreckt sich bis 2034 und umfasst insgesamt rund 1,1 Mrd. EUR.
Weltweit erste GaN-Hochvolumenfertigung auf 300-mm-Wafern
Technologischer Kern des Vorhabens ist die Fertigung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern. Nach Angaben von Infineon handelt es sich dabei um die weltweit erste Hochvolumenfertigung dieser Art.
Der Konzern setzt damit am Standort Villach auf eine neue Generation der GaN-Halbleiterproduktion. Im Mittelpunkt steht die Herstellung von Leistungshalbleitern, die in unterschiedlichen Bereichen der Stromversorgung eingesetzt werden können.
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Der Zeitplan für das Projekt steht ebenfalls fest: Bereits Ende 2027 soll die Produktion anlaufen. Die dafür vorgesehenen Investitionen verteilt Infineon auf den Zeitraum bis 2034.
Welche Branchen profitieren von den neuen GaN-Leistungshalbleitern?
Die Einsatzmöglichkeiten der geplanten GaN-Leistungshalbleiter reichen von industriellen Anwendungen bis zur Konsumentenelektronik. Besonders relevant ist die Technologie nach Unternehmensangaben überall dort, wo leistungsfähige Stromversorgungslösungen und eine hohe Energieeffizienz benötigt werden.
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Ein wichtiges Anwendungsfeld sind KI-Rechenzentren. Darüber hinaus nennt Infineon die Energieinfrastruktur und die Elektromobilität als Bereiche, in denen Galliumnitrid erhebliche Effizienzsteigerungen ermöglichen kann.
Auch die Robotik gehört zu den adressierten Einsatzgebieten. Hinzu kommen Anwendungen in der Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung in Villach richtet sich damit an mehrere Branchen, in denen die Anforderungen an eine effiziente Stromversorgung steigen.
Finanzielle Unterstützung erhält Infineon für den Ausbau des Standorts Villach im Rahmen des Europäischen Chips Acts. Wie aus der Unternehmensmitteilung hervorgeht, wird das Vorhaben mit insgesamt 319 Mio. EUR gefördert.
Die Förderung deckt damit einen Teil der geplanten Investitionssumme von rund 1,1 Mrd. EUR ab. Den Angaben zufolge soll das Geld in den Aufbau der neuen Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter fließen.
Mit dem Produktionsstart Ende 2027 und dem Investitionshorizont bis 2034 hat Infineon einen mehrjährigen Zeitrahmen für den Ausbau festgelegt. Im Mittelpunkt steht die weltweit erste Hochvolumenproduktion der neuesten GaN-Leistungshalbleitergeneration auf 300-Millimeter-Wafern am österreichischen Standort Villach.
Wie viel investiert Infineon in Villach? – Bis 2034 plant Infineon Investitionen von rund 1,1 Mrd. EUR in den österreichischen Standort.
Was produziert Infineon Villach künftig? – Geplant ist die Hochvolumenfertigung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern.
Wann startet die neue Produktion bei Infineon Villach? – Der Produktionsbeginn ist für Ende 2027 vorgesehen.
Welche Anwendungen profitieren von der GaN-Fertigung bei Infineon Villach? – Zu den Einsatzgebieten zählen KI-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik.
Wie hoch ist die Förderung für Infineon Villach? – Das Projekt wird mit 319 Mio. EUR im Rahmen des Europäischen Chips Acts unterstützt.